集成無(wú)源器件（Integrated Passive Device，IPD）技術(shù)可以將分立的無(wú)源器件集成在襯底內(nèi)部，提高器件 Q 值及系統(tǒng)集成度。尤其是基于高阻硅 IPD 薄膜技術(shù)具有高精度、高集成度等特點(diǎn)，可將無(wú)源器件特征尺寸縮小一個(gè)數(shù)量級(jí)。同時(shí)可利用成熟的硅工藝平臺(tái)，便于批量生產(chǎn)降低成本。尤為重要的是，高阻硅 IPD技術(shù)可與 TSV 技術(shù)兼容，實(shí)現(xiàn)無(wú)源器件包括電阻、電容、電感等器件集成在一個(gè)單獨(dú)器件內(nèi)，可實(shí)現(xiàn)器件三維疊層封裝，在節(jié)省空間的同時(shí)，可以增加器件的功能性、并簡(jiǎn)化印刷電路板的設(shè)計(jì)。

因此，采用先進(jìn)的無(wú)源元件集成基板結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)集成電路技術(shù)是實(shí)現(xiàn)和滿足集成電路的電子系統(tǒng)將朝著速度更快、功能更強(qiáng)大、多附加值、體積更小、和高密度集成的方向發(fā)展的重要途徑。高阻硅 IPD 技術(shù)以高阻硅為襯底，采用薄膜技術(shù)制備嵌入式無(wú)源器件，使得襯底功能化，是下一代電子產(chǎn)品的重要發(fā)展趨勢(shì)之一。

蘇州甫一電子科技有限公司采用半導(dǎo)體加工技術(shù)與電化學(xué)技術(shù)相結(jié)合，制備出基于硅、玻璃基板的薄膜 IPD 器件，能提供優(yōu)良的器件精度和功能密度，并與三維通孔技術(shù)相結(jié)合，能夠制作各種薄膜式電阻器、電容器和電感器及互連結(jié)構(gòu)，以及完成無(wú)源元件之間的傳輸布線，可廣泛應(yīng)用于微波通訊、射頻、高精度復(fù)合元件、高密度集成和大功率器件領(lǐng)域。