針對(duì)目前 TSV 工藝中的技術(shù)難點(diǎn)，蘇州甫一電子科技有限公司采用復(fù)合刻蝕技術(shù)實(shí)現(xiàn)高深寬比結(jié)構(gòu)的微孔制備，采用獨(dú)特的薄膜沉積技術(shù)構(gòu)建均勻致密的絕緣層，通過精密電沉積技術(shù)進(jìn)行金屬互連微通道填充，可以有效控制互連微通道的形貌，以有效解決高密度互連中的散熱問題。并通過綜合性減薄技術(shù)，有效實(shí)現(xiàn)超薄 TSV 轉(zhuǎn)接板的加工，解決在 TSV 三維封裝中減薄工藝容易裂片的問題，實(shí)現(xiàn) TSV 三維封裝的產(chǎn)業(yè)化開拓了道路。

采用半導(dǎo)體工藝，

加工具有高的深寬比微納米孔。

硅通孔技術(shù)可以通過垂直互連減小互聯(lián)長(zhǎng)度，減小信號(hào)延遲，降低電容/電感，實(shí)現(xiàn)芯片間的低功耗，高速通訊，增加寬帶和實(shí)現(xiàn)器件集成的小型化。

廣泛應(yīng)用于射頻、存儲(chǔ)、通訊等芯片的三維封裝領(lǐng)域。